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鋁摻雜的硅半導(dǎo)體中載流子含量的測(cè)定方法
信息來(lái)源：武漢格瑞斯新能源科技有限公司 發(fā)布時(shí)間：2018-04-14 14:47 瀏覽次數(shù)：次
    1.Mott-Schottky曲線法
      CS系列電化學(xué)工作站可用于半導(dǎo)體或鈍化膜Mott-Schottky圖的測(cè)試。通過在不同直流電位下分別疊加一固定幅值和固定頻率的交流擾動(dòng)信號(hào)，測(cè)得不同直流電位下的阻抗值，并根據(jù)阻抗虛部來(lái)計(jì)算耗盡區(qū)電容Csc ,最后按公式（1或2）計(jì)算并繪制Mott-Schottky圖,并據(jù)此計(jì)算半導(dǎo)體或鈍化膜材料中的載流子濃度，確定材料半導(dǎo)體特征。
Mott-Schottky 公式：
      式中, Vfb為平帶電位(flat band potential), Nd和 Na分別是施主(donor)和受主(accepter)載流子濃度, ε為相對(duì)介電常數(shù), ε0為真空介電常數(shù), A 為電極表面積, k為Boltaman常數(shù), T為絕對(duì)溫度, e為電荷電量。
      Csc可根據(jù)公式（3）計(jì)算
(3)
      其中Z” 為阻抗虛部， f為正弦波頻率。
      阻抗-電位掃描介紹
      將電解池裝置連接到CS350電化學(xué)工作站上，從corrTest軟件中選擇“P阻抗-電位掃描”測(cè)試方法，并按圖1所示進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(僅供參考)：

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